Półprzewodniki
-
Ładunek bramki:
3,82nC
-
Moc rozpraszana:
25W
-
Montaż:
SMD
-
Napięcie bramka-źródło:
±30V
-
Napięcie dren-źródło:
200V
-
Obudowa:
TO252
-
Polaryzacja:
unipolarny
-
Prąd drenu:
2,7A
-
Producent:
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
-
Rezystancja w stanie przewodzenia:
700mΩ
-
Rodzaj kanału:
wzbogacany
-
Typ tranzystora:
N-MOSFET