Półprzewodniki
-
Ładunek bramki:
34nC
-
Moc rozpraszana:
208W
-
Montaż:
SMD
-
Napięcie bramka-źródło:
±20V
-
Napięcie dren-źródło:
600V
-
Obudowa:
TO263
-
Polaryzacja:
unipolarny
-
Prąd drenu:
12A
-
Producent:
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
-
Rezystancja w stanie przewodzenia:
190mΩ
-
Rodzaj kanału:
wzbogacany
-
Typ tranzystora:
N-MOSFET